MO技術を用いた低温焼結型高熱伝導ダイアタッチ剤(導電・シンタリングタイプ)

特徴

低温焼結型高熱伝導ダイアタッチ剤使用例

デバイスの高密度化、高集積化に伴い、高放熱材料が求められています。MO技術を用いる事で、低温焼結が可能な高熱伝導ダイアタッチを開発しました。熱伝導率は200 W/mKを超える製品もラインナップしています。
ご提供が可能なサンプルがございますので、お問い合わせをお待ちしています。

特性データ

品番 特徴 用途 粘度
[Pa・s]
硬化条件 比抵抗値
[Ω・cm]
接着強度
[N/mm2]
熱伝導率
[W/mK]
H9892-5 加圧接合用銀シンター
ベア銅基板と接合可能
熱による素子の仮固定可能
印刷塗布
Power IC
SiC、GaN
40 (E type 5rpm) Pressure: 15MPa
Temperature: 300Co
Time: 2min.
2.7×10-6 80 250
H9888-2 無加圧接合用銀シンター
高密度・超高熱伝導タイプ
ディスペンス塗布
Power IC
SiC、GaN
35 (E type 5rpm) RT -> 210C for 62min,
hold for 60min
5×10-6 85 275
H 9890-6A 無加圧接合用銀シンター
高熱伝導タイプ
ディスペンス塗布
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
8×10-6 50 140
H 9890-10A 無加圧接合用銀シンター
高熱伝導タイプ・低ブリードアウト
ディスペンス塗布
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
8×10-6 75 140
H 9890-11 無加圧接合用銀シンター
熱伝導・低弾性タイプ
ディスペンス塗布
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
13×10-6 50 60

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