MO技術を用いた低温焼結型高熱伝導ダイアタッチ剤（導電・シンタリングタイプ）
特徴
低温焼結型高熱伝導ダイアタッチ剤使用例
デバイスの高密度化、高集積化に伴い、高放熱材料が求められています。MO技術を用いる事で、低温焼結が可能な高熱伝導ダイアタッチを開発しました。熱伝導率は200 W/mKを超える製品もラインナップしています。
ご提供が可能なサンプルがございますので、お問い合わせをお待ちしています。
特性データ
| 品番 | 特徴 | 用途 | 粘度 [Pa･s] |
硬化条件 | 比抵抗値 [Ω･cm] |
接着強度 [N/mm2] |
熱伝導率 [W/mK] |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H9892-5 | 加圧接合用銀シンター ベア銅基板と接合可能 熱による素子の仮固定可能 印刷・ディスペンス塗布に適用可能 |
Power IC SiC、GaN |
40 (E type 5rpm) | Pressure: 15MPa Temperature: 300Co Time: 2min. |
2.7×10-6 | 80 | 250 |
| XH9888-1 | 無加圧接合用銀シンター 高密度・超高熱伝導タイプ ディスペンス可能 |
Power IC SiC、GaN |
70 (Rheometer Φ35mm / 2°cone 5rpm) |
RT -> 210C for 62min, hold for 60min |
5×10-6 | 85 | 275 |
| H 9890-6A | 無加圧接合用銀シンター 高熱伝導タイプ ディスペンス・ジェットディスペンス可能 |
Power IC SiC、GaN |
30 (E type 5rpm) | RT -> 200C for 60min, hold for 60min |
8×10-6 | 50 | 140 |
| H 9890-6 | 無加圧接合用銀シンター 熱伝導・低弾性タイプ ディスペンス・ジェットディスペンス可能 |
Power IC SiC、GaN |
30 (E type 5rpm) | RT -> 200C for 60min, hold for 60min |
15×10-6 | 35 | 60 |
