製品紹介

ユニメック

MO技術を用いた低温焼結型高熱伝導ダイアタッチ剤

デバイスの高密度化、高集積化に伴い、高放熱材料が求められています。また、Pb半田材料は未だ確立されておりません。そこで、MO技術を用いる事で、低温焼結が可能な高熱伝導ダイアタッチを開発しました。熱伝導率は170W/mK得られており、Ag焼結体だけでは脆い性質を樹脂の補強により向上させています。
ご提供が可能なサンプルがございますので、お問い合わせ頂ければ相談させて頂きます。

MO技術を用いた低温焼結型導電ペースト使用例
品番 特徴 用途 粘度
[Pa・s]
硬化条件 比抵抗値
[Ω・cm]
接着強度
[N/mm2]
熱伝導率
[W/mK]
H 9890-6A 高熱伝導タイプ
高強度
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
8×10-6 50 140
H 9890-6S 高熱伝導タイプ
高強度
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
11×10-6 45 100
H 9890-6 高熱伝導タイプ
高強度
Power IC
SiC、GaN
30 (E type 5rpm) RT -> 200C for 60min,
hold for 60min
15×10-6 35 60